[发明专利]超低静态功耗的缓冲器有效
申请号: | 202110114776.6 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112468101B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 邹鹏良;唐成伟;吴忠洁 | 申请(专利权)人: | 上海灵动微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/16 | 分类号: | H03F3/16;H03F3/68 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 吴珊;成春荣 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供一种超低静态功耗的缓冲器。该缓冲器中,第一、第七和第八NMOS的栅极连接信号输入端;第一和第二NMOS的源极连接第四NMOS的漏极,第一NMOS的漏极连接第一PMOS的漏极和第一至第四PMOS的栅极,第二NMOS的漏极连接第二PMOS的漏极,第二NMOS的栅极连接第九PMOS的漏极和第十PMOS的源极;第七NMOS的源极和第十NMOS的漏极连接第五NMOS的漏极,第七NMOS的漏极连接第三PMOS的漏极和第九PMOS的栅极;第八NMOS的源极和第十二PMOS的漏极连接地第六NMOS的漏极,第八NMOS的漏极连接第四PMOS的漏极和第十一PMOS的栅极,第十一PMOS的漏极和第十二PMOS的源极连接信号输出端。本申请的缓冲器能够驱动大负载,具有高瞬态响应和高电源抑制比。 | ||
搜索关键词: | 静态 功耗 缓冲器 | ||
【主权项】:
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