[发明专利]用于制造具有到导电楼梯梯级的接触件的微电子装置的方法以及相关装置和系统在审
申请号: | 202110116481.2 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN113284844A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 王淼鑫;D·A·戴寇克;郭杰贤;曾启文;C·G·埃莫;卢永耀 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及用于制造具有到导电楼梯梯级的接触件的微电子装置的方法及相关装置和系统。用于形成微电子装置的方法包含在堆叠结构中形成楼梯结构,所述堆叠结构具有布置在层中的绝缘和导电材料的竖直交替序列。梯级在层的横向端处。不同的纵横比的接触开口形成在邻近楼梯结构的填充材料中,其中一些开口终止于填充材料中并且其它开口暴露堆叠结构的上部层的导电材料的部分。额外的导电材料选择性地形成在导电材料的暴露部分上。最初终止于填充材料中的接触开口经延伸以暴露下部高程的导电材料的部分。形成接触件,其中一些接触件延伸到额外的导电材料且其它接触件延伸到下部高程的层的导电材料。还公开并入此类楼梯结构和接触件的微电子装置和系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 导电 楼梯 梯级 接触 微电子 装置 方法 以及 相关 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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