[发明专利]绝缘PI膜及其制备方法在审
申请号: | 202110118506.2 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112812559A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 叶爱磊;戴玮洁;韩仲友;谈纪金;祁浩;周枫韵 | 申请(专利权)人: | 苏州泰仑电子材料有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08L25/12;C08L71/02;C08K3/36;C08K3/38;C08K7/14;C08K3/22;C08J5/18;C08G73/10 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 祁云珊 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种绝缘PI膜,其特征在于,包括按重量份计的以下成分:均苯四甲酸二酐30~70份;联苯四甲酸二酐20~60份;PPD 20~50份;ODA20~60份;聚亚烷基二醇5~20份;苯乙烯‑丙烯腈共聚物5~20份;氧化铝3~10份;超细玻璃棉5~15份;混合纳米粒子3~15份;溶剂40~90份。本发明中,聚亚烷基二醇与苯乙烯‑丙烯腈共聚物复配使用,提高了PI膜的绝缘性能和强度;氧化铝、超细玻璃棉的添加进一步改善了绝缘性能和耐热性能;纳米二氧化硅和纳米氮化硅的复配使用时,在能显著提高PI膜的耐高温性能、强度、耐刮性能的前提下,不会导致绝缘性能的下降,使得PI膜的综合性能得以提高。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 pi 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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