[发明专利]湿法刻蚀基台及湿法制程化学台在审
| 申请号： | 202110119234.8 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112735991A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 许浩浩;吴智翔;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05F3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿法刻蚀基台及湿法制程化学台，所述湿法刻蚀基台包括反应腔室、管路组件及静电导流件，所述管路组件包括刻蚀管及清洗管，所述刻蚀管用于向所述反应腔室通入刻蚀液；所述清洗管用于向所述反应腔室通入清洗液；所述静电导流件贴附于所述刻蚀管和所述清洗管中的至少一个上。通过于刻蚀管和/或清洗管上设置静电导流件，可以疏导湿法制程中聚集的电荷，避免电荷聚集到一个量级之后爆炸溅射使晶片表面产生缺陷，提高晶片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 化学 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
