[发明专利]具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110122506.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112768464B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 夏正亮;黄攀;徐伟;严萍;霍宗亮;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维(3D)存储器件包括衬底之上的存储器堆叠层。存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的多个沟道结构。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中延伸的源极结构。所述源极结构包括将该源极结构分成第一和第二区段的支撑结构。所述源极结构还包括粘合层。所述粘合层的至少一部分延伸穿过支撑结构并将第一和第二区段导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 粘合 连接 触点 三维 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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