[发明专利]一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110123883.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885892A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 邵国键;林罡;任彬;陈韬;刘柱;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有栅极；其中，所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有离子掺杂区域，且所述离子掺杂区域位于栅极与漏极之间，靠近栅极一侧，所述离子掺杂区域中的掺杂离子为正离子。本发明通过在制作栅极、漏极以及源极之前在外延层内引入正离子掺杂区域，使得器件可以承受更高的漏极电压。最终器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正离子 掺杂 工艺 提高 半导体器件 击穿 电压 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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