[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202110124890.7 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113394273A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 谌俊元;王培宇;苏焕傑;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露内容涉及具有背侧源极/漏极触点的半导体元件。此半导体元件包含具有顶部表面及底部表面的源极/漏极特征、形成为与源极/漏极特征的顶部表面接触的第一硅化物层、形成在第一硅化物层上的第一导电特征、及第二导电特征，此第二导电特征具有主体部分及从主体部分延伸的第一侧壁部分，其中主体部分在源极/漏极特征的底部表面下方，且第一侧壁部分与第一导电特征接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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