[发明专利]一种高纯低氧硅粉及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110128735.2 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112875707B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 李利利;丁照崇;张晓娜;曲鹏;曹晓萌;杜文路;贾倩;李勇军;滕海涛 申请(专利权)人: 有研亿金新材料有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 陈波
地址: 102200*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种高纯低氧球形金属硅粉及其制备方法,所述制备方法以高纯硅块为原料,采用感应导热材料石墨作为外部导热层、不与硅反应材料(如氧化铝、氧化锆、氮化硼等)作为内部隔离层设计特种结构坩埚,采用真空气雾化法制备高纯低氧球形金属硅粉。本发明所制备的硅粉的粉末粒度为10‑50μm,纯度≥99.999%,氧含量≤400ppm,球形度90%以上,满足了特种高纯金属合金的使用要求。
搜索关键词: 一种 高纯 低氧 及其 制备 方法
【主权项】:
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