[发明专利]一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法有效
| 申请号： | 202110129845.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951989B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郭新;邵哲元;黄鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 陈灿;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件制备领域，更具体地，涉及一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列。本发明制备方法，采用光刻技术和物理或化学沉积技术首先制备大批交叉电极的忆阻器，并对每个器件进行电预处理，得到单器件的稳定状态，避免了由于电预处理的大电压带来的影响，器件结构简单、性能良好且稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 组合式 交叉 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110129845.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
