[发明专利]一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110132723.7 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112904550B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 胡方靖;伍文杰;田纪遨;刘骅锋;涂良成 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G02B26/02 分类号: G02B26/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 祝丹晴;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法,属于信息技术中的人工电磁材料领域。包括:第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧;所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行,键合构成双层光栅;所述线圈置于第二亚波长光栅上,所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连;所述线圈通电时,在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移,位移方向与所述双层光栅平行。本发明仅基于多层硅基光栅,无其他复杂结构,具有易于设计、低成本、操作简单等特点,而且普适性强,无频率依赖性,具有很好的可扩展性,能够被推广至太赫兹以外的其他电磁波频段。
搜索关键词: 一种 基于 多层 光栅 赫兹 波幅 调制器 制备 方法
【主权项】:
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