[发明专利]后备域数据保护的电路及其方法有效
| 申请号： | 202110133064.9 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112448473B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 章锡翔;汤臻;夏佳圆;刘强;吴忠洁 | 申请（专利权）人： | 上海灵动微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J9/06 | 分类号： | H02J9/06;H02J7/00;H02J7/34 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;成春荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种集成电路领域，提供了一种后备域数据保护的电路及其方法，该电路包括：第一至第四PMOS晶体管、非逻辑门和与逻辑门，第一PMOS晶体管的漏极连接主电源，源极连接第二PMOS晶体管的源极，第二PMOS晶体管的漏极连接后备域网络，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极均连接非逻辑门的输出端，非逻辑门的输入端连接第一控制信号；第三PMOS晶体管的漏极连接备用电源，源极连接第四PMOS晶体管的源极，第四PMOS晶体管的漏极连接后备域网络，第三PMOS晶体管的栅极连接与逻辑门的输出端，第四PMOS晶体管的栅极和与逻辑门的第一输入端连接第一控制信号，与逻辑门的第二输入端连接第二控制信号。本申请可以用于持续保护后备域数据。 | ||
| 搜索关键词： | 后备 数据 保护 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
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