[发明专利]用于晶圆的快速退火工艺在审
| 申请号： | 202110133828.4 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112928016A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 丁文波;叶甜春;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路制造技术领域，尤其涉及晶圆的快速退火工艺。本发明提供的用于晶圆的快速退火工艺，在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。重参杂离子造成晶格损伤，在离子布植接面形成非晶与单晶的界面，通过中低温短时间回火，界面下方的单晶体可作为非晶层再结晶的籽晶而完成固相外延流程，砷造成的晶格损伤会随着结晶大幅修复，同时因为此过程温度不会太高且时间相对较短，因此并不会影响其他轻参杂离子的扩散而造成接面变深。因此，本发明提供的工艺无需额外制程，成本投入，在已有工艺制程中引入新的方案，既能实现对重参杂离子造成的高晶格损坏修复，同时能兼顾保证所有离子高活化率以及形成浅接面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 快速 退火 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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