[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110133835.4 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112992807A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：重布线层，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第一电子组件，设于第一表面或第二表面，第一电子组件与重布线层电连接；第一支撑件，设于第一表面或第二表面；模封层，包覆重布线层、第一电子组件以及第一支撑件。该半导体结构及其制造方法，不仅可以有效减小整体结构的厚度，还可以防止翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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