[发明专利]缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统在审
申请号: | 202110134057.0 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112802771A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 汪金凤 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统,所述缺陷检测晶圆图优化方法包括以下步骤:通过机台端对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图;对所述晶圆上的各个芯片进行针测,并将所述芯片的针测数据导入所述机台端;根据各个芯片的针测数据生成晶圆针测图;使所述晶圆针测图与所述晶圆图的比例及坐标均保持一致以对所述晶圆针测图和所述晶圆图进行比对,并在所述晶圆图中标记出不在所述晶圆针测图中的芯片。通过将针测数据导入机台端并生成晶圆针测图,并将所述晶圆针测图与机台端的晶圆图进行比对,能够高效、准确的标记出无效芯片,实现晶圆图的优化,从而释放机台产能,节省时间并降低人力消耗。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 检测 晶圆图 优化 方法 及其 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造