[发明专利]一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202110134231.1 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112951511B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 吴健;傅伟;胡月;张祥成 申请(专利权)人: 江西省纳米技术研究院
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 330000 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括:将芳纶溶于浓硫酸,形成芳纶铸膜液;将所述芳纶铸膜液施加于基体表面,之后置于银纳米线的乙醇分散液中进行相转移处理,再将所获基体浸渍于凝固液中进行凝固处理,获得凝胶膜;以及,对所获凝胶膜进行干燥处理,获得芳纶导电薄膜。本发明中芳纶导电薄膜的制备方法操作简便,制备的芳纶导电膜兼具芳纶良好的力学性能和银纳米线优异的导电性,且耐高温、耐溶剂,使用寿命周期长,可广泛应用于电子器件领域。
搜索关键词: 一种 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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