[发明专利]一种原子层沉积设备及沉积方法

摘要

本发明提供一种原子层沉积设备及沉积方法，沉积设备设置有反应腔室及退火腔室，其中反应腔室设置有多个加热器，待沉积外延层的衬底可以通过传输装置在不同的加热器之间传输，每一个加热器均可以独立调节加热温度。不同的加热器对应不同的原子层沉积，加热器的数量可以根据沉积的薄膜或者晶体材料的组成元素数量进行设置，由于本发明的加热器能够针对不同的反应气体源进行温度的优化调节，因此能够获得期望厚度的外延层，并且外延层的质量得以大大提高。同时由于独立调节温度还能够大大提高生产效率。另外，本发明的ALD设备采用水平进气+垂直进气的方式，能够得到更加均匀的气流场，有利于形成高质量的外延层。