[发明专利]金属氧化物单晶生长用坩埚在审
| 申请号： | 202110135745.9 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113308735A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 干川圭吾;小林拓实;大塚美雄 | 申请（专利权）人： | 不二越机械工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00;C22C5/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 褚瑶杨;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物单晶生长用坩埚，容易获得坩埚的定径部的厚度和强度(硬度)的平衡，还能进行大径的晶体的生长。本发明的坩埚(10)为一种金属氧化物单晶生长用的坩埚，其特征在于，坩埚(10)的定径部(20)的外周面上设置有增强用的带材(22)。另外，可以采用坩埚(10)的上部(18)的厚度比坩埚(10)的下部(12)的厚度形成得薄、坩埚(10)的上部(18)为定径部(20)的坩埚(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 生长 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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