[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110136660.2 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113130483A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 潘冠廷;苏焕杰;游家权;朱熙甯;江国诚;詹易叡;庄礼阳;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体结构包括多个鳍状结构，沿着第一方向延伸；多个栅极结构部件，沿着第二方向延伸，第二方向正交于第一方向，其中栅极结构部件隔有多个虚置鳍状结构。半导体结构还包括导电层，位于栅极结构部件与虚置鳍状结构上，以电性连接至少一些栅极结构部件；以及切割结构，对准虚置鳍状结构的一者，以电性隔离虚置鳍状结构的一者的两侧上的栅极结构部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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