[发明专利]一种高世代TFT级细晶粒ITO靶材的制造方法在审
| 申请号： | 202110137140.3 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112723863A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;文宏福 | 申请（专利权）人： | 韶关市欧莱高纯材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 林晓宏 |
| 地址： | 512000 广东省韶关市武江区西联镇阳山村*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高世代TFT级细晶粒ITO靶材的制造方法，包括粉末制备步骤、混合研磨步骤、喷雾造粒步骤、压制成型步骤和烧结成型步骤。本发明的ITO靶材的制造方法，能制造大尺寸高密度晶粒的ITO靶材，靶材密度＞99.9％，均晶粒直径控制在3至5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 世代 tft 晶粒 ito 制造 方法 | ||
【主权项】：
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