[发明专利]相变存储单元、相变存储器及电子设备在审
| 申请号： | 202110137906.8 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN114843395A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈鑫 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 颜晶 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了相变存储单元、相变存储器及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变存储单元包括相变薄膜；相变薄膜包括多层相变材料层和多层导电隔绝层，相变材料层与导电隔绝层交替层叠；相变材料层采用相变材料形成，导电隔绝层采用导电晶体材料形成；相变材料与导电晶体材料的晶格失配度小于或等于10％，相变材料的熔点小于导电晶体材料的熔点。相变材料层以导电晶体材料层作为结晶生长模板，利于显著降低结晶时间；导电隔绝层保持稳定的晶体结构，有效阻止相变材料在电场方向上的元素迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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