[发明专利]一种β平面源制备方法和一种β平面源在审
| 申请号： | 202110139626.0 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112967830A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘明阳;高岩;王念;任春侠;王安达;付轲新;李翔 | 申请（专利权）人： | 原子高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G21G4/06 | 分类号： | G21G4/06;C25D11/08;C25D11/16;C25F3/20 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;杨博涛 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 制备 方法 | ||
【主权项】：
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