[发明专利]一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法在审
| 申请号： | 202110141979.4 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112877770A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;赛青林 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法，生长装置包括：(1)本体，本体包括热场结构，热场结构用于保温形成热场，热场结构由至少一层保温层层叠而成，保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔；(2)密封层，所述密封层设置在所述本体外围。本发明的热场结构采用了多块分层、且多块子母扣拼接的方式，有效的释放高温下热应力，避免了不受控开裂；本发明还采用透明且耐高温材质的密封层对整体结构进行密封，确保了氧化镓晶体生长所需的密封低气体对流环境，从而有效抑制氧化镓晶体生长过程中的挥发，实现连续稳定制备高质量氧化镓晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导模法 生长 氧化 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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