[发明专利]一种板级GaN半桥功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110146626.3 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112967932A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赵铁良;樊嘉杰;张国旗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 陆惠中;赵旭 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了板级GaN半桥功率器件及其制备方法，属于电气领域，方法包括：S1获取包括金属芯板和绝缘底板的PCB板；S2在金属芯板的顶面加工出第一图形，在第一图形上生长金属形成第一图形层；S3将GaN MOS Die固定在第一图形层上；S4将铜箔通过固化片压合在固晶后的PCB板的顶面上；S5在铜箔上钻孔，且钻孔的深度止于GaN MOS Die或金属芯板；S6通过生长金属填平钻孔；S7在铜箔上加工出第二图形，在第二图形上生长金属形成第二图形层；S8将驱动IC及被动元件固定在第二图形层上；S9从顶面压合绝缘顶板进行顶面密封；S10去除绝缘底板，在金属芯板的底面加工出第三图形，在第三图形上生长金属形成与铜箔连接的第三图形层。本发明能够提高加工效率，还能够降低寄生电感。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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