[发明专利]一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺在审
| 申请号： | 202110147055.5 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112820658A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李文浩;陆张潇;王冬冬;张伟;许原诚 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 王峰 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体制造领域内的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺，包括如下步骤：溅镀、光阻涂布、曝光、显影、电镀金、光阻去除、电浆处理、金蚀刻、金凸块处理、钛钨蚀刻和韧化；所述金凸块处理细分为如下过程：二次光阻涂布、二次电浆处理、二次金蚀刻、二次光阻去除。本发明通过在金蚀刻后增加光阻涂布，电浆，金蚀刻及光阻去除的工艺流程，从而降低或消除凸块的表面高度差，提高金凸块的表面平整性，改善后续封装的压合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金凸块 外观 状况 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
