[发明专利]一种金属氧化物透明导电薄膜及其应用

摘要

本发明公开了一种金属氧化物透明导电薄膜，该金属氧化物为：在含铟的金属氧化物MO‑In2O3中掺入少量稀土氧化物ReO作为光生载流子转换中心，形成(In2O3)x(MO)y(ReO)z的透明导电材料。本发明在基于铟的金属氧化物中，通过引入稀土氧化物材料，实现载流子浓度的控制和提高迁移率；其通过利用稀土氧化物中稀土离子具有更低的电负性，并与氧离子形成的离子键Ln‑O具有更高的断键能，因此可以有效控制In2O3薄膜内的氧空位浓度。稀土离子具有和铟离子相当的离子半径，能降低结构失配造成的缺陷散射，因此更能保持其较好的高迁移率特性。本发明还提供一种该金属氧化物透明导电薄膜的应用。