[发明专利]图像传感器及其制作方法

摘要

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种图像传感器及其制作方法。其中，该图像传感器包括：设于感光区中的隔离结构和多个光电二极管；隔离结构将多个光电二极管之间隔离呈阵列式结构，位于相邻两个光电二极管之间的隔离结构中形成有封闭的空气腔结构。方法包括以下步骤：提供基底层，基底层包括相对的第一面和第二面；选择性刻蚀基底层，使得在基底层的感光区中形成深沟槽；深沟槽，在纵向上从基底层的第一面向第二面延伸，将基底层分隔为呈阵列式排布的器件单元；通过外延生长工艺，在深沟槽的表面逐渐生长形成外延层，使得深沟槽的空间逐渐缩小至形成封闭的空气腔结构。