[发明专利]基于单片三维异质集成的三态内容寻址存储器有效

专利信息
申请号: 202110153819.1 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN112908368B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 唐建石;李怡均;高滨;吴华强;钱鹤 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出了一种基于单片三维异质集成的三态内容寻址存储器,包括全局外围电路和堆叠于所述全局外围电路之上的多层三态内容寻址存储器阵列;全局外围电路包括灵敏放大电路和存储器控制电路;各层三态内容寻址存储器阵列均分别包括集成在单个芯片上的晶体管阵列外围电路、限流晶体管阵列和存储器阵列,且为2T2R阵列。本发采用单片三维异质集成技术,通过在单个芯片上异质集成多层不同材料的晶体管,充分发挥不同材料的优势,制造出在容量、功耗、速度等性能上远超传统工艺的三态内容寻址存储器。
搜索关键词: 基于 单片 三维 集成 三态 内容 寻址 存储器
【主权项】:
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