[发明专利]一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法有效
| 申请号： | 202110155752.5 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112993157B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王燕;吕子玉;洪宾;吴鹏;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 苗娟 |
| 地址： | 230013 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 水平 结构 忆阻器 均一 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院），未经北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110155752.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
