[发明专利]一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构，硅片的隧穿氧化层一侧至少沉积有两层掺杂非晶硅薄膜，且多层所述掺杂非晶硅薄膜的掺杂浓度由接触所述隧穿氧化层一侧起呈梯度增加。其中，每层所述掺杂非晶硅薄膜的厚度为10‑40nm，多层所述掺杂非晶硅薄膜的总厚度为60‑80nm。本发明提供的梯度掺杂非晶硅钝化结构，掺杂非晶硅层其掺杂浓度由接触隧穿氧化层的最里层至接触银浆的最外层呈梯度增长，最终获得低膜厚、高钝化性的掺杂非晶硅层，总厚度由常规100nm以上减薄至60‑80nm左右，不仅有效降低了由掺杂非晶硅引起的电池背面近红外光损耗，提升了光利用率，同时还降低了镀膜工艺成本。