[发明专利]一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110161042.3 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112802529A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 倪黄忠;范厚奎 | 申请（专利权）人： | 深圳市时创意电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C29/04 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新桥街道新发东路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于闪存芯片技术领域，提供了一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质，其中方法包括：在不同型号，相同类型的多个Nand闪存内分别选取多个第一采样物理存储块；在不同温度节点下对多个所述第一采样物理存储块进行擦、写、读测试，以获取每个所述第一采样物理存储块在不同温度节点下的测试数据；通过所述测试数据获得所有的所述第一采样物理存储块中的纠错数据占最大纠错数据的比率；选出占比高于预设占比的所述第一采样物理存储块对应的Nand闪存。本发明提供的方法，解决了现有现有的方法无法检测出军工级Nand闪存的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 军工 nand 闪存 检测 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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