[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202110161788.4 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113054095A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 马礼修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成芯片具有存储器单元，所述存储单元包括磁隧道结(MTJ)器件和访问选择器装置。MTJ器件包括自由层和固定层。访问选择器装置包括通过一个或者多个非金属层间隔开的第一金属结构和第二金属结构。第一金属结构包括极化磁性层。极化的磁性层产生延伸穿过自由层的磁场，倾斜其磁场，从而大大减少了用于MTJ器件的开关时间。访问选择器装置可以是双极选择器。极化磁性层可以结合至双极选择器的电极中。访问选择器装置和MTJ器件都可以由材料层的堆叠件形成。所得的存储器单元可以是紧凑的，并且具有良好的写入速度。本发明的实施例还涉及形成集成芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110161788.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：一种高强度陶瓷型材及其制备方法
