[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110164059.4 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113690241A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刈谷奈由太;津田宗幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体存储装置具备：多个第1导电层，排列在第1方向上；多个第2导电层，在第2方向上与多个第1导电层相隔而配置，且排列在第1方向上；半导体层，设置在多个第1导电层与多个第2导电层之间；以及电荷蓄积层，具备设置在多个第1导电层与半导体层之间的第1部分及设置在多个第2导电层与半导体层之间的第2部分。该半导体存储装置构成为能够执行第1写入动作与第2写入动作，该第1写入动作是对作为多个第1导电层其中一个的第3导电层供给第1编程电压，对作为多个第1导电层其中一个的第4导电层供给小于第1编程电压的写入通路电压，该第2写入动作是对第3导电层供给大于写入通路电压的第2编程电压，对第4导电层供给第2编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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