[发明专利]存储器件及其制造方法

摘要

在一些实施例中，本发明涉及存储器件。在一些实施例中，该存储器件包括衬底和互连结构，设置在该衬底上方。该互连结构包括堆叠的互连金属层，设置在堆叠的层间介电(ILD)层内。存储器单元设置在上部互连金属层与中间互连金属层之间。选择晶体管连接至该存储器单元，并设置在该中间互连金属层与下部互连金属层之间。通过将该选择晶体管置于两个互连金属层之间的后端互连结构内，节省了前端空间，并且提供了更大的集成灵活性。在一些实施例中，本发明还涉及制造存储器件的方法。