[发明专利]HZO基铁电器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110167372.3 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112951997A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;李春龙;张保;霍宗亮;靳磊;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/11502 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种HZO基铁电器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成氧化层；在所述氧化层背离所述半导体晶圆的一侧形成HZO层；在所述HZO层背离所述氧化层的一侧表面形成第一TiN层；在所述第一TiN层背离所述HZO层的一侧形成介质应力层；基于所述介质应力层施加的应力，对所述HZO层进行退火处理；完成退火处理后，去除所述介质应力层，在所述第一TiN层背离所述HZO层的一侧表面形成第一金属层；图形化所述第一金属层以及所述第一TiN层，形成第一电极。应用本发明提供的技术方案，通过在HZO的退火过程中施加应力，可以有效改善HZO基铁电器件的性能，提高HZO的铁电性。 | ||
| 搜索关键词： | hzo 基铁电 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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