[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110167970.0 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113345857A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一导电部件、一重分布层、至少一硅穿孔插塞、以及至少一凸块。该导电部件设置于该基板的一前表面之上，且该重分布层设置于与该前表面相对的一后表面之上。该硅穿孔插塞穿过该基板并接触内埋于一绝缘层中的该导电部件。该凸块接触该重分布层和该硅穿孔插塞并作为两者之间的电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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