[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 202110168403.7 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113284821A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 金子美翔;有田毅彦;坂井隼人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，该基板处理装置具有：多个腔室，其收纳所述基板；多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
