[发明专利]晶闪干粒、晶闪陶瓷砖及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110170042.X 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN112499971B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 史杰;张缇;刘俊荣 申请(专利权)人: 佛山欧神诺陶瓷有限公司
主分类号: C03C8/20 分类号: C03C8/20;C03C8/02;C03C8/00;C04B41/89;C03C8/16
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 董艳芳
地址: 528100 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种晶闪干粒,其原料包括按重量份数计的如下组分:锆英石0.3~8份、石英55~68份、硼酸18~45份、刚玉0~5份、碱金属氧化物4~10份、碳酸锂0.2~6份,锆英石为侵入岩的副产物。本发明通过以侵入岩的副矿物锆英石为原料制备晶闪干粒,由于该锆英石的晶体呈四方双锥、柱状或板状,其在颗粒之间会形成三叉晶界,而通过晶闪干粒晶界上的漫反射和三叉晶界上的反射协同,增强了反射特性,实现了不同角度的晶闪效果。本发明还提供一种晶闪陶瓷砖及其制备方法,该晶闪陶瓷砖由上述晶闪干粒制成,通过本发明制得的晶闪陶瓷砖在光照下具有良好的闪光效果,防污性能达到A级、耐磨性能好、断裂模数大,且吸水率合格。
搜索关键词: 晶闪干粒 陶瓷砖 及其 制备 方法
【主权项】:
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