[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 202110170950.9 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN113113493A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 吴伯峰;尤志豪;林家彬 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 根据本公开的半导体器件包括沟道构件,沟道构件包括第一连接部分、第二连接部分和布置在该第一连接部分与该第二连接部分之间的沟道部分;布置在第一连接部分上方并且与第一连接部分接触的第一内部间隔部件;布置在第一连接部分下方并且与第一连接部分接触的第二内部间隔部件;以及包裹沟道构件的沟道部分的栅极结构。该沟道构件还包括第一脊,该第一脊位于沟道构件的顶面上并且布置在沟道部分与第一连接部分之间的界面处。第一脊部分地在第一内部间隔部件与栅极结构之间延伸。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
搜索关键词: 半导体器件 形成 方法
【主权项】:
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