[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110172193.9 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113284874A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 詹宏伟;郑咏世;黄文社;陈郁翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括位于第一导线和第二导线上方的第一介电层、位于第一介电层的部分上方的高电阻层、位于第二介电层上方的低k介电层、位于高电阻层上的第二介电层、延伸穿过低k介电层和第二介电层的第一导电通孔以及穿过低k介电层和第一介电层延伸至第一导线的第二导电通孔。第一导电通孔延伸至高电阻层中。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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