[发明专利]集成电路的装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110172417.6 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113053883A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 辛格·古尔巴格;刘冠良;王柏仁;庄坤苍;陈信吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路的装置及其制造方法，集成电路的装置包括一硅基层、一氧化物基层、一第一顶硅层、一第二顶硅层、一第一半导体元件及一第二半导体元件。该氧化物基层形成于该硅基层上方。该第一顶硅层形成于该氧化物基层的一第一区域上方，且具有一第一厚度。该第二顶硅层形成于该氧化物基层的一第二区域上方，且具有小于该第一厚度的一第二厚度。该第一半导体元件形成于该第一顶硅层上方，且该第二半导体元件形成于该第二顶硅层上方。通过制造不同厚度顶硅层的能力，能够提供具有不同特性元件的单片基板，例如，同时具有完全空乏元件及部分空乏元件的单片基板。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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