[发明专利]包括垂直堆叠的有源SOI器件的带隙基准电路在审
| 申请号： | 202110175990.2 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113380788A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | D·R·布莱克威尔;P·P·杭;V·托恩-塔特;T·S·米勒 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及包括垂直堆叠的有源SOI器件的带隙基准电路。本公开的实施例提供了一种带隙基准电路，包括：第一垂直堆叠结构和第二垂直堆叠结构，该第一垂直堆叠结构和第二垂直堆叠结构各自包括：P型衬底；P阱区，其位于P型衬底内；N型势垒区，其位于P型衬底和P阱区之间，P阱区和N型势垒区形成PN结；场效应晶体管(FET)，其位于P阱区上方，通过掩埋绝缘体层而与P阱区分隔开，P阱区形成FET的背栅；以及第一电压源，其耦接到P阱并向在P阱区和N型势垒区之间的PN结处形成的二极管施加正向偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 垂直 堆叠 有源 soi 器件 基准 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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