[发明专利]封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110177847.7 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112967933A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 章军 | 申请（专利权）人： | 池州昀冢电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/52;H01L23/498;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/06;H01L23/10 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 247000 安徽省池州市皖江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种封装结构及其制作方法，所述方法包括：提供一高温共烧陶瓷基板，所述高温共烧陶瓷基板包括多个叠放的基板单元，所述基板单元上设置有贯穿所述基板单元上下两面的导电体，最上层以外的所述基板单元的上表面设置有层间导电层，最上层的所述基板单元的上表面不设置层间导电层；在最上层的所述基板单元的上表面制作第一导电层，在最下层的所述基板单元的下表面制作第二导电层；所述第一导电层和第二导电层分别采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；在所述基板单元的表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该方法可以提高多层陶瓷基板的线路精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
