[发明专利]一种无机耐高温突触晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了属于半导体器件技术领域的一种无机耐高温突触晶体管及其制备方法。所述突触晶体管包括衬底、沟道、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，在硅片一侧设置SiO2层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由单分子层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，并与沟道形成欧姆接触，整体位于SiO2层上；硅片另一侧作为栅电极；所述SiO2层中含有可迁移的碱金属离子。所述突触晶体管采用全无机材料，其工作温度范围为150℃‑350℃，能实现多种长时程和短时程突触可塑性。与现有技术相比，显著提高了突触晶体管的工作温度，对高温人工智能器件的发展具有重要意义。