[发明专利]一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用在审
| 申请号： | 202110181359.3 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113044805A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;徐震;朱奥男;赵晓宇;张小龙;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用，涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°；本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构，方法简单高效，对溅射材料化学性能无依赖，同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 角度 调控 掩蔽 制备 有序 纳米 阵列 结构 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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