[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110182022.4 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113345966A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之;迫精伍;加藤久幸 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管包括：主体层，其为在栅极电极上隔着栅极绝缘膜形成的半导体层，且在栅极电极的上方包含：第一区域、第二区域以及位于第一区域以及第二区域之间的沟道区域；沟道阻挡物，其形成在沟道区域上；源极电极，其经由第一接触层与第一区域电连接；以及漏极电极，其经由第二接触层与第二区域电连接。第一接触层以及第二接触层分别包含第一非晶硅层，该第一非晶硅层与源极电极或漏极电极直接接触且包含有杂质，第一区域以及第二区域的各自的厚度小于沟道区域的厚度，第一区域以及第二区域包含有第二非晶硅层，该第二非晶硅层以比第一非晶硅层低的杂质浓度包含有杂质。结果，当抑制光激励电流地制成显示装置时，可以提高开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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