[发明专利]用于离子植入源的绝缘体在审
| 申请号： | 202110182199.4 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113471045A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林琮闵;林圣棋;饶瑞峰;简芳记;汤隆吟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/30 | 分类号： | H01J37/30;H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于离子植入源的绝缘体可在离子植入源的高电压组件与相对较低电压组件之间提供电绝缘。为了减小沿绝缘体形成泄漏路径的可能性和/或防止沿绝缘体形成泄漏路径，绝缘体可包括具有来回图案的内部空腔。内部空腔的来回图案会增大离子植入源中的气体分子的平均自由程且会增大不直接暴露于或向外暴露于气体分子的绝缘体的表面积。这使得更难和/或更不可能沿绝缘体形成连续的膜或涂层，这会延长离子植入源的工作时间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 植入 绝缘体 | ||
【主权项】：
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