[发明专利]一种针对半导体存储器老化测试的离线调试方法及装置有效
申请号: | 202110183531.9 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN112527690B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 杨坤;邓标华 | 申请(专利权)人: | 武汉精鸿电子技术有限公司;武汉精测电子集团股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/36 | 分类号: | G06F11/36;G11C29/56 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请涉及一种针对半导体存储器老化测试的离线调试方法及装置,涉及半导体存储器测试技术领域,该方法包括以下步骤:建立用于替代FPGA的所有寄存器的自定义存储空间,在FPGA的所有寄存器地址到自定义存储空间的存储地址之间建立映射;当需要访问FPGA的Start寄存器时,调用ALPG模块从FPGA的PC寄存器读取的存储地址开始模拟运行Pattern,将运行中断或结束的状态写入FPGA的Status寄存器;循环查询Status寄存器的值,根据查询结果选择继续运行Pattern或执行后续测试项目。本申请基于文件映射方式对FPGA进行模拟化处理,降低硬件设备的成本,提高测试工作的通用性和便利性。 | ||
搜索关键词: | 一种 针对 半导体 存储器 老化 测试 离线 调试 方法 装置 | ||
【主权项】:
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