[发明专利]一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 202110183832.1 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN112736163B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 孙巍泉 | 申请（专利权）人： | 普乐（合肥）光技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法，采用非晶硅薄膜沉积、激光做晶化和隔离、离子注入非晶化和选择性刻蚀等成熟方法来做多晶硅薄膜钝化的背极光伏电池制造，其中离子注入自对准分区技术可使用低成本的丝网印刷技术，基于现有生产线完成批量生产，成本相对低廉，适合光伏行业的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 钝化 背极插指型 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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