[发明专利]一种聚吡咯包覆MoS2有效

专利信息
申请号: 202110184091.9 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN112786870B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 黄清;高忠贵;孔文婕;刘富池 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/583;H01M4/60;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 唐智芳
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开一种聚吡咯包覆MoS2/C复合材料及其制备方法。该复合材料的制备方法,包括以下步骤:1)取二水合钼酸钠和硫脲溶于乙醇中,然后加入聚乙烯吡咯烷酮,搅拌均匀后置于高压釜中,在大于或等于150℃条件下保温反应,得到由MoS2/C组装的空心纳米球;2)取由MoS2/C组装的空心纳米球和氧化剂混合均匀,以所得混合物为原材料,以吡咯为包覆源,以高压釜作为反应室,在所述混合物和吡咯互不接触的条件下于加热或不加热条件下保温反应,即得。本发明所述复合材料呈空心球形,且具有优异的Li+存储性能和可逆容量,制备方法更为简单且环保。
搜索关键词: 一种 吡咯 mos base sub
【主权项】:
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