[发明专利]用于霍尔效应器件的半导体堆叠有效
| 申请号： | 202110184346.1 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113270541B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 何冠霆;L·巴尔比 | 申请（专利权）人： | 迈来芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N52/85 | 分类号： | H10N52/85;H10N52/80;H10N52/01 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;黄嵩泉 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请公开了用于霍尔效应器件的半导体堆叠。一种用于霍尔效应器件的半导体堆叠(100)，包括：底部势垒(140)，该底部势垒(140)包括Al |
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| 搜索关键词： | 用于 霍尔 效应 器件 半导体 堆叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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